图2 对外接口选用10nf电容

图3 对外接口没有选用10nf电容

(资料图片仅供参考)

至于为什么选用10nf电容可以通过ESD实验，我们查阅相关资料发现，ESD的放电能量峰值集中在前30ns以内，频谱图发现最高能量峰值是50MHz。

图4 电容放电曲线图

图5 ESD放电频谱图

我们通过村田网站的插入损耗仿真分析发现10nf电容，27nf电容，33nf电容在55MHz均有较低的阻抗，但是这时候，我们应该选择用10nf电容，这是由于27nf,33nf电容在55MHz时已经超过了自谐振频率，呈一定电感性，可能会跟电路中其他寄生电容，形成LC谐振，所以我们最终应用10nf电容。

图6 村田网站各个电容插入损耗图

在选用10nf电容后，我们重新做±4KV的静电实验，下图是测试结果，发现实验前后所有Pin脚的RCL阻值在实验前后都控制在10%以内，即可以通过实验。

图7 选用10nf电容后ESD复测结果

总结：1.从降本角度考虑，不选用ESD管的情况下，10nf的电容可以帮助我们通过±4KV的Pin脚放电测试；

2. 由于制造工艺的影响，电容的工作频率需要小于其谐振频率，否则跟其他电容并联使用时，会形成并联LC谐振，引起EMI干扰。